天通股份申请一种蓝宝石晶体生长杂质控制方法及晶体生长用坩埚专利，提高晶体生长品质和一致性
发布时间：2024-09-12 19:23 浏览量：8
金融界 2024 年 9 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，天通控股股份有限公司申请一项名为“一种蓝宝石晶体生长杂质控制方法及晶体生长用坩埚“，公开号 CN202411092274.8，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明属于蓝宝石晶体生长技术领域，具体涉及蓝宝石晶体生长杂质控制方法及晶体生长用坩埚。一种蓝宝石晶体生长杂质控制方法，包括以下步骤：坩埚除杂，将氧化铝溶液喷涂在钼坩埚内壁，将该坩埚放入长晶炉内，炉体进行密封后开始升温烧结和降温冷却；长晶，将氧化铝原料粉末填入处理后的坩埚内，炉体密封后开始升温熔融原料，原料融化后进行引晶和晶体生长，晶体生长完成后，冷却降温取出晶体。本发明主要利用氧化铝在不同温度下的反应设计和控制，通过坩埚除杂操作获得一种晶体生长用坩埚，避免新坩埚内杂质元素引入蓝宝石晶体生长过程中，从而控制蓝宝石晶体生长的杂质，提高了晶体生长的品质和一致性。