涨幅跑赢黄金， 2026 内存价格疯涨为何没人能把价格打下来？

2026 年开年以来，全球内存市场价格迎来狂飙式上涨，涨幅甚至超过黄金，成为资本市场和科技领域的热议焦点。DRAM、NAND 及 HBM 全品类价格均刷新历史纪录，而这一轮涨价潮中，市场却未出现有效价格调控力量，持续走高的内存价格让下游产业承压的同时，也引发了行业对市场格局的深度思考。

据市场研究公司发布的报告显示，2026 年第一季度以来，

内存价格较 2025 年第四季度末已暴涨 80%—90%

，其中通用服务器 DRAM 成为本轮涨价的核心推手，64GB RDIMM 合约价从 2025 年第四季度的 450 美元飙升至 900 美元以上，二季度甚至有望突破 1000 美元关口。此前表现平稳的 NAND 闪存也同步大涨，叠加 HBM3e 产品价格走高，形成了内存全品类普涨的格局，这一上涨速度和幅度远超市场预期，也让 “内存价格跑赢黄金” 成为现实。

面对居高不下的内存价格，市场却迟迟没有出现价格平抑的力量，核心原因在于当前内存市场的结构性供需失衡，且这一局面并非短期扰动，而是由 AI 产业发展引发的长期格局变化。一方面，AI 算力中心建设在全球范围内加速推进，服务器与高端算力设备对内存的需求呈指数级激增，业内人士表示，当前 AI 算力建设仍处于基础设施建设初期阶段，存储行业的供不应求状态将长期存在中国经济网。同时，AI 大模型的迭代速度保持在每 6 个月一次，内存需求随之翻倍，进一步加剧了市场的需求缺口。

另一方面，海外存储巨头的产能结构调整让供需矛盾雪上加霜。三星、铠侠、海力士、美光科技等头部企业纷纷将产能向大容量 3D NAND Flash、HBM 和 DDR5 等高端产品倾斜，对 SLC NAND Flash、利基型 DRAM 及 DDR4 等传统细分市场实施减产或产能调控，传统内存产品的市场供给持续收缩，其中 DDR4 市场的供需失衡尤为突出，成为价格上涨的重灾区。而内存行业具有较高的技术和资金壁垒，新玩家难以快速入局填补产能缺口，现有厂商则无动力主动降价，最终形成了 “价格大涨却无人平抑” 的市场现状。

内存价格的狂飙式上涨，正在引发整个电子产业链的连锁反应，产业链上下游呈现出明显的冷暖分化。上游存储厂商和封测企业迎来盈利高峰，DRAM 厂商的营业利润率有望在 2026 年第一季度突破历史峰值，力成、华东、南茂等存储封测厂订单满载，产能利用率近乎 100%，并陆续调升封测价格，国内的朗科科技、东芯股份等企业也同步受益，产能利用率和产品价格均稳步提升中国经济网。

而下游的消费电子、新能源车等产业则面临着巨大的成本压力。为应对内存涨价，部分 PC 和智能手机品牌不得不下调产品内存规格、寻求替代供应，联想、戴尔、惠普等 PC 龙头已对多款笔记本产品提价 500-1500 元，国产新机也出现 100-600 元的涨价，甚至有消费电子厂商被迫推迟新品发布。内存成本在整机物料清单中的占比大幅提升，从以往的约 20% 升至 30% 以上，高端机型甚至超过 35%，成为终端产品定价的核心影响因素。新能源车产业也受此波及，存储芯片涨价与碳酸锂价格波动叠加，让行业迎来 2026 年的开局压力。

不过，这一轮全球内存市场的格局变化，也为国内存储企业带来了难得的国产化发展机遇。随着海外大厂逐步退出传统存储细分市场，国内企业在 SLC NAND Flash、DDR4 等领域的市占率有望持续提升。同时，全球 PC 大厂为缓解供应链压力和成本风险，开始将目光转向中国存储芯片，为国产存储产品的市场拓展打开了空间。业内人士表示，国内存储企业若能抓住这一契机，加速技术突破和产能布局，有望在全球存储产业链的重构中占据更重要的位置。

对于未来的内存价格走势，行业普遍认为短期内难现回落。有业内人士指出，2026 年二季度后内存价格的涨幅将逐季收敛，下半年部分品类有望止涨，但供需失衡的核心矛盾未得到根本解决，价格难以出现实质性下跌。这也意味着，下游产业仍需长期面对高内存成本的挑战，而全球存储产业链的重构，仍将在价格波动中持续推进。