主流产品持续涨价 存储产业迎来发展黄金期

近日，有消息披露，长江存储在今年一季度收入已超过200亿元，与去年同比实现了翻倍增长，其中NAND（闪存）芯片产量已超过全球市场的10%份额，逼近全球第三。

同时，为了保证产能，长江存储在今年建成一座新厂的基础上，还将再建两座工厂。全部投产后，单厂月产能有望达到10万片。同时，长鑫科技在DRAM（动态随机存取存储器）领域也正加速释放产能。2025年年底，长鑫科技正式向上海证券交易所科创板提交招股说明书，申请挂牌上市，拟募集资金295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级，以及前瞻技术研发。尽管当前上市进程因财务资料更新暂时中止，但在价格上涨周期下，后续融资推进可能将带来新一轮产能释放。

从营收的角度来讲，国内企业与三星、SK海力士等龙头企业之间还有较大差距。三星电子公布的2026年一季度初步业绩显示，公司营业利润达57.2万亿韩元（约合人民币2610亿元），环比增长185%，同比增长755%；SK海力士2026财年Q1营收52.58万亿韩元（约合人民币2423亿元），营业利润37.61万亿韩元（约合人民币1733亿元），营业利润率72%；DRAM均价环比上涨约60%，NAND均价环比上涨约70%。

不过，值得关注的是，中国存储企业的供应链国产化率已实现从单点突破到体系化替代的跨越。例如，目前，长江存储3DNAND产线已形成分线级、阶梯式国产化格局：整体设备国产化率约45%~50%，一、二期成熟产线约30%~50%，三期新产线设备国产化率达50%以上、核心工艺，如刻蚀、沉积、CMP等近100%国产，并建成100%全国产设备验证线。

AI驱动+供需失衡 拉长行业涨价周期

全球存储市场涨价潮持续，核心驱动来自AI服务器、数据中心等领域需求爆发。IDC预测，2025年全球AI服务器市场规模增至1587亿美元，2028年有望达到2227亿美元。与此同时，三星、SK海力士、美光等企业，主动削减消费级及成熟制程产能，向HBM（高带宽内存）、高端DDR5、3DNAND等高毛利AI产品倾斜，导致整体供给持续偏紧。此外，上游成本上涨、行业库存下降等因素进一步推升涨价预期。

据了解，内存芯片短缺预计将持续至2027年前后。美国和韩国主要厂商正在扩产DRAM，但提产速度仅能覆盖约60%的市场需求。对此，行业专家普遍认为，本轮涨价非短期反弹，是AI重构存储产业的长周期拐点。在这一过程中，高端AI存储持续紧缺，消费级同步跟涨，无快速回落可能。

面对这一行业窗口，国内存储企业迎来加速扩产的关键机遇，以长江存储、长鑫存储为代表的龙头企业纷纷推进新建产线与产能爬坡，在3DNAND、DDR5等关键产品上持续提升产能与技术水平。产业链上下游企业也同步跟进扩产布局，从芯片设计到封装测试、材料设备等环节协同发力，借助涨价周期提升盈利水平。

国内厂商集中扩产，不仅有助于缓解全球存储供给缺口，也将逐步改变美日韩主导的行业格局，提升我国在全球存储产业的话语权。不过，对于国内存储企业来讲，本轮扩产背后仍存在多重挑战，高端技术与良率差距、关键设备材料受限、重资产投入压力等问题依然突出。

整体而言，此次涨价周期既是国内存储产业做大做强的重要契机，也是检验技术实力与抗风险能力的关键考验。

政策扶持 助力中国存储产业发展跃升

日前，国务院新闻办公室举行新闻发布会，介绍2026年一季度工业和信息化发展情况。针对近期存储器价格上涨问题，工业和信息化部相关负责人在会上表示，工业和信息化部将多措并举支持存储器产业发展，保障产业链供应链稳定。一方面，增强供给能力、促进供需对接，鼓励内外资企业加大投资力度，提升产出能力。支持终端企业与存储器企业加强互动对接，拓宽多元化供应渠道。另一方面，通过多种手段维护市场秩序，引导存储器企业加强渠道管理，配合相关部门依法打击“囤积居奇力等扰乱市场行为。

同时，多地明确了新建数据中心国产化存储使用比例。例如，《福建省推进算力基础设施高质量发展的实施意见》提出，到2026年，新建数据中心国产化算力占比达到50%、国产化存储使用占比达到80%；《天津市算力产业发展实施方案（2024—2026年）》提出，到2026年，国产算力芯片使用占比超过60%，配套存储设备同步要求国产化适配，推动存储系统与国产CPU、国产操作系统的全栈兼容，新建智算中心需完成存储设备国产化部署。

不仅如此，国家大基金三期将128层以上3DNAND闪存与18纳米以下DRAM列为存储芯片领域核心攻坚目标，重点支持长江存储长鑫存储两大龙头实现高端量产、良率提升、产能扩张。

可以看到，在国家“顶层战略+千亿资金+刚性应用”组合拳的强力驱动下，推动国产存储加速从追赶到并跑，自给率快速提升、全球份额稳步扩大，不仅保障了供应链安全，还促进了中国存储产业的跨越式跃升。