功率半导体年内第二轮涨价潮：AI算力驱动需求分化，SiC/GaN进入“黄金窗口期”

事件

7月起，全球超20家功率半导体企业集中开启年内第二轮涨价，幅度10%-25%，覆盖硅基MOSFET/IGBT、SiC、GaN全品类。7月2日，英飞凌德累斯顿50亿欧元Smart Power Fab正式启用，为全球最大300mm功率半导体晶圆厂。我们判断，本轮涨价周期由AI数据中心功率密度跃升驱动，结构性特征显著，持续性将优于2021-22年库存周期驱动的涨价潮。SiC与GaN正形成"机房侧（SiC）→机柜内（GaN）"的分工格局，行业从普惠增长转入分化竞争阶段。

点评

涨价潮全景与驱动逻辑：进入7月以来，涨价密集落地。英飞凌年内第二次发函提价（7月1日生效），德州仪器同期跟进，两家均覆盖AI电源芯片、车规IGBT/MOSFET等品类，但未官方披露具体涨幅。国内厂商同步跟进且公布了明确幅度，华润微全品类上涨15%，扬杰科技全系列上涨10%-15%（SiC业务在手动订单饱满），立昂微自6月15日起功率芯片全系上涨10%-15%，芯联集成宣布Q3上调15%-25%。低压MOSFET交期已从去年四季度的12-40周进一步拉长，部分高端料号超过40周。

本轮涨价由三重驱动叠加。其一，AI机架功率密度正经历"三年三级跳"，从当前200kW级向500kW乃至1MW迈进，英伟达下一代Rubin平台单机柜功率将突破600kW，对电源管理芯片和功率器件的需求呈数量级增长。英飞凌自身AI电源营收指引即印证了这一增速，从FY2025的7亿欧元增至FY2026E约15亿欧元，FY2027直奔25亿欧元，两年翻近三倍。其二，800V HVDC架构正取代传统400V交流系统成为数据中心供电新标准，单机柜功率器件价值量数倍提升。其三，8英寸成熟制程产能被AI芯片需求大量挤占，功率器件代工产能被动收缩，进一步加剧供给紧张。

与2021-22年涨价周期相比，本轮有本质不同。2021-22年驱动力为疫情后补库存叠加汽车电动化起步，本质是库存周期的短期错配；本轮驱动来自AI算力的结构性增量，需求粘性更强，不会因库存去化而消失。但供给侧已不再全局紧缺，SiC 6英寸出现过剩苗头（TrendForce判断行业进入2-3年产能消化期），GaN方面全球多条产线集中在建，中期产能释放将压制涨价空间。我们预计2026下半年功率器件涨价趋势延续但斜率放缓，2027年起SiC 6英寸可能率先降价，8英寸SiC和AI电源GaN将维持结构性紧缺。

SiC与GaN："大分流"下的结构性判断：在AI数据中心需求爆发下，SiC与GaN正形成清晰的场景分工，两者为互补关系而非替代关系。

SiC主攻机房侧高压场景（1200V以上），包括固态变压器（SST）、功率因数校正（PFC）等。全球SiC功率半导体市场预计从2025年约27.3亿美元增至2030年84.1亿美元，CAGR约25%。当前行业核心矛盾是结构性分化：高良率8英寸SiC晶圆紧缺，车规级SiC MOSFET拿货周期仍然较长；但普通6英寸SiC已出现供应过剩，中国制造商价格战加速SiC价格下跌。安森美高管在PCIM Europe指出，中国OEM的SiC设计周期（12-18个月）比欧洲（24-36个月）快一倍，意味着国内SiC需求的释放节奏更快、但竞争也更激烈。

GaN主攻机柜内中低压场景（40V-650V），包括中间总线转换器（IBC）、电压调节模块（VRM）等。全球GaN功率半导体市场预计从2025年约5.5亿美元增至2030年41.5亿美元，CAGR接近50%，增速远快于SiC。数据中心是GaN增速最快的应用场景，预计2030年将占GaN功率市场37.3%。但我们提示关注供给侧风险：全球多条GaN产线集中在建，若于2027-28年集中量产，ASP可能面临较大压力，当前的高增速赛道可能在两年后面临盈利能力的考验。

综合判断：功率半导体行业正从"普惠增长"进入"分化竞争"阶段。竞争焦点从单纯的器件结构创新转向热管理和先进封装能力，系统级交付能力（模块化方案而非单独卖器件）成为获客关键。投资价值的核心筛选标准为，在"紧缺象限"（8英寸SiC、AI电源GaN、车规IGBT）中有产能且有客户的玩家，将享受量价齐升；在"过剩象限"（6英寸SiC、低端消费/工控MOSFET）中则面临价格和份额的双重挤压。

风险

1) AI资本开支不及预期风险。若北美CSP资本开支增速放缓或AI服务器部署节奏低于预期，AI功率半导体需求预测将面临下修，涨价周期可能提前结束。

2) SiC 6英寸过剩加剧风险。TrendForce已预警SiC行业进入2-3年产能消化期，若国内厂商继续扩产6英寸SiC，价格战程度可能超出预期。

3) GaN产能集中释放风险。全球多条GaN产线（含在建）若于2027-28年集中量产，ASP可能大幅承压，当前高增速预期面临盈利能力考验。

4) 汽车功率器件供给挤压风险。AI数据中心订单大量挤占8英寸产能，中低端车规功率器件出现拿货困难，若持续恶化可能反噬新能源汽车供应链。

5) 地缘政策风险。若美国升级对华半导体设备出口管制，国内SiC/GaN衬底及器件扩产节奏可能受阻。

本报告分析师：

崔冰睿

SFC HK执业证书编号：BUD052

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