中兵红箭：中南钻石攻关第四代半导体，金刚石要造芯

9月9日，中兵红箭在互动平台表示，中南钻石CVD建设项目正按计划稳步推进，18号厂房预计于2027年上半年建设完成，主要定位是培育钻石。目前，中南钻石正在开展第四代半导体相关技术攻关工作。

一段简短的回复，勾勒出一条从“工业牙齿”到“终极半导体”的材料跃迁路径。

金刚石，第四代半导体的“终极材料”

在半导体材料代际更迭中，第四代半导体以氧化镓、氮化铝、金刚石三大超宽禁带材料为代表。赛迪顾问9月8日发布的报告指出，这三大材料正迎来全链条加速，未来五年将从研发验证迈入规模商用。金刚石凭借5.5eV超宽禁带宽度、超高击穿场强和超高热导率，被视为第四代半导体的“终极材料”。

中南钻石的“双技术路线”底牌

中南钻石是工信部认定的超硬材料“链主企业”，工业金刚石市场占有率持续保持全球第一。公司同时掌握高温高压（HPHT）和化学气相沉积（CVD）双核心技术路线，拥有400余项专利。在金刚石半导体衬底方面，公司已开发出低缺陷金刚石材料，缺陷密度低、应力均匀且可控，具备小批量生产能力。在金刚石热沉材料方面，已实现15mm×15mm及以上大尺寸CVD金刚石单晶片的稳定量产，产品热导率≥2000W/m.K。

真正的产业逻辑：从“散热”切入，向“衬底”攀登

金刚石半导体的产业化路径，正在沿着“散热材料→衬底材料→器件”的阶梯逐级攀升。目前金刚石热沉材料在半导体功率器件、AI算力芯片等领域的应用，仍处于少数企业样机验证阶段。但AI算力芯片的热密度正在指数级上升，金刚石散热片的商业化进程正在加速。据测算，2026年全球AI芯片用金刚石散热片市场规模约87亿元，到2030年有望增至592亿元，年复合增长率超过50%。

从散热切入，是金刚石半导体产业化最务实的路径。 散热材料的验证周期短于衬底，客户需求更迫切，商业化速度更快。中南钻石在CVD金刚石热沉片上的量产能力，正在为更长期的半导体衬底攻关积累工艺经验和客户信任。

“技术攻关”四个字的分量

“正在开展第四代半导体相关技术攻关工作”——这句话的另一面，是这条路上仍横亘着大尺寸高质量单晶衬底成本高昂、n型掺杂效率低、欧姆接触工艺复杂等挑战。中国在无孪晶（111）面生长、n型掺杂控制等核心技术上与日本约有5年差距，2英寸以上高质量单晶衬底仍严重依赖进口。

但方向已经确立。赛迪顾问报告指出，竞争焦点已从材料性能转向“衬底-外延-器件-封装全链协同与成本控制”。中南钻石依托HPHT及CVD双技术路线，正处在这场全链条竞争的关键节点上。

真正的产业跃迁，不是在技术攻关的公告里被宣告的，而是在每一片CVD金刚石单晶从产线出发、通过半导体客户验证、最终成为第四代半导体器件基底的过程中被验证的。 从工业金刚石的全球第一，到第四代半导体的技术攻关，中南钻石正在用同一套超硬材料基因，书写“材料跃迁”的下一个篇章。