英伟达下一代芯片，散热不用铜了，改用“人造钻石”

这两年，AI 芯片的功耗，已经不像在进步，像在发高烧。

英伟达

H100 功耗 700 瓦，B300 跳到 1400 瓦，Vera Rubin 直接冲破 2300 瓦。热流密度超过 500 瓦每平方厘米。

铜板压这个温度，像拿一杯凉水去浇钢炉。

铜的热导率大约 400 瓦每米每开尔文，在 2300 瓦的芯片面前，已经到顶。

得换材料。

这个材料叫金刚石。热导率 2000 到 2200 瓦每米每开尔文，是铜的 5 倍。电绝缘，热膨胀系数贴近硅。

英伟达

在 2026 年 2 月宣布，下一代 Vera Rubin 架构 GPU 将采用“金刚石铜复合散热+45℃温水直液冷”方案。

问题是——谁在造？造到哪一步？钱卡在哪一层？

黄河旋风

在长葛的子公司

风优创

，2026 年 2 月 28 日投产了国内首条 8 英寸金刚石热沉片产线。50 台 MPCVD 设备上半年全部到位，规划年产 2 万片大尺寸热沉片。

风优创

董事长王适说：“现在所有设备都在 24 小时满负荷生产。”

8 英寸热沉片已经通过

华为

、

中芯国际

等头部企业验证。

四方达

的 CVD 金刚石散热片热导率在 2000 瓦每米每开尔文以上，已通过海外客户测试并进入小批量供货。

国机精工

的单晶、多晶、金刚石铜复合材料三条路线都有产品，2025 年散热片和光学窗口片收入超过 1000 万元，主要供国防工业。

这一层的坎，不是能不能做，是能不能做到大尺寸、高良率、稳定交付。

金刚石散热链条上，钱分得很不均匀。

芯片级热沉片最贵。

一片 4 英寸 CVD 单晶金刚石热沉片报价大约 4 万元。按 400 平方毫米的芯片裸片算，单晶热沉片采购约 1500 元，多晶约 2000 元，加上贴装，单颗芯片散热成本增加约 2500 元。

贵吗？换一个角度看。一颗搭载 2 颗 400 平方毫米芯片裸片的 AI 芯片，整卡售价接近 20 万元，散热成本占比不到 3%。对一颗算力拉满时可能降频损失 20% 性能的芯片来说，这个钱花得毫不犹豫。

能做到

2000

瓦以上热导率的，全球玩家寥寥无几。

黄河旋风

的 8 英寸线是国内唯一量产的大尺寸产品。

四方达

已进入小批量供货。

国机精工

有国防订单。但 8 英寸单晶的良率数据，至今没有公开披露。

金刚石铜复合材料，是另一条路。

热导率约 800 瓦每米每开尔文，是纯铜的两倍。极限性能不如纯 CVD 金刚石，但价格是纯铜的 3 到 5 倍，只有纯 CVD 金刚石的 10% 到 20%。

它和现有液冷冷板产线兼容。仅冷板凸台采用金刚石铜，常规冷板约 300 元一块，升级后成本增加 400 到 500 元，上浮 10% 到 15%，可以降温 5 到 8 度。

曙光

在郑州的 10 万台浸没式冷板/蒸发器项目，采用了铜基掺杂金刚石材料，换热效率比常规纯铜高一倍多。

中兵红箭

在互动平台说了句冷水话：“金刚石热沉材料在半导体功率器件、AI 算力芯片等领域的应用只是少数企业样机验证阶段，距市场化批量应用还需要攻克较多技术难关。”但

中信建投

的判断是：短期金刚石铜复合材料技术成熟度高、产业化成本优势突出，可能率先放量。两句话放一起看，路线是对的，节奏是慢的。

MPCVD 设备，是最容易被忽视的一层。

金刚石在 MPCVD 设备里长出来，核心零部件是微波源和磁控管。进口单台设备曾高达千万元级别，设备折旧占材料成本 30% 到 40%。

国力电子

是国内少数可稳定量产大功率 MPCVD 设备磁控管的企业，已小规模批量供货。MPCVD 生长设备国产化率约 70%，但离子束抛光、高真空键合等后道设备国产化率只有 30% 到 40%。

国机精工

和

四方达

都走自研设备路线。

恒盛能源

子公司

桦茂科技

200 台新一代 MPCVD 设备已投产，计划 2026 年下半年再新增 100 台。

谁握着设备，谁就握着扩产的开关。

三层拆完，谁更赚钱？热沉片单件价值量最高，量产最慢；金刚石铜复合材料放量最快，利润最薄；MPCVD 设备卡在中间，决定所有人的扩产节奏。上游握着开关，下游拿着定价权，中间这层在赛跑。

接下来的问题不是“能不能成”，是“扩产什么时候能跟上、谁先跑到”。

需求端的时钟最快。

英伟达

Vera Rubin 计划 2026 年四季度到 2027 年初量产。

中金公司

判断，2026 年进入金刚石散热产业化验证的关键窗口。部分厂商芯片流片已完成，当前处于模组测试，2026 年四季度可能小批量量产，2027 年二季度正式起量。

供给端的时钟慢得多。

沃尔德

定增 14.5 亿元，5.24 亿元投向金刚石散热衬底产业化，达产后年产 65 万片，建设期 3 年。

黄河旋风

规划 3 年投资 20 亿元、配置 300 台 MPCVD 设备，最终年产 15 万片大尺寸热沉片。

惠丰钻石

在包头投资 10 亿元的 CVD 金刚石散热项目已点火，整体周期 3 到 5 年。

四方达

投资 4.5 亿元在新疆沙雅建设年产 2.5 万片项目。

力量钻石

变更 10.28 亿元募集资金投向金刚石功能材料，半导体高功率散热片项目一期已投产。

需求的窗口只有短短一段，产能的建设期却长得多。

6 到 12 个月，对上 3 年。这就是当前最核心的错配。

中金公司

点出的方向是：产业链价值集中于 MPCVD 生长设备、激光切割/精密抛光两大环节。

这个错配，正在几条子环节上制造位置变化。

芯片级金刚石热沉片。

全球能稳定供应 8 英寸产品的企业一只手数得过来。认证周期通常 12 到 24 个月。

四方达

已通过海外客户测试，

沃尔德

散热衬底项目已完成中试验证。但 8 英寸单晶良率数据仍未公开。这一步还没走完的地方，是良率。

金刚石铜复合材料。

工艺兼容现有液冷冷板产线，下游不用重建产线就能升级。

惠丰钻石

已构建覆盖高导热金刚石金属复合材料的全产业链技术体系，年产 20 亿克拉高性能纳米金刚石导热微粉项目已投产。

楚江新材

的压力溶渗炉、真空扩散焊炉等特种热工装备已用于金刚石散热领域，但金刚石复合热沉材料本身仍处研发阶段。这一步还没走完的地方，是降本。

MPCVD 设备与核心零部件。

生长设备国产化率约 70%，后道精密加工设备只有 30% 到 40%。

国机精工

走“自研设备+自产材料”路线，

四方达

设备全部自研，

恒盛能源

已投产 200 台、规划再加 100 台。这一步还没走完的地方，是后道核心设备还没有可量产替代的公开验证。

答案在链条里

所以“谁在造金刚石散热片”的答案，不在一家公司身上，在这条链上三个正在错位的时钟里。

需求跑得最快。

英伟达

Vera Rubin 的散热方案已经敲定，2026 年四季度到 2027 年一季度就是窗口期。芯片厂商的模组测试在跑，接下来就是等材料交付。

产能追得最吃力。

五家超硬材料上市公司的投资和募资加起来超过 60 亿元，但产线建设周期普遍 3 年左右，良率爬坡还要再搭上 6 到 12 个月。需求的窗口只有 6 到 12 个月，产能的时钟是 3 年。这就是当前最硬的约束。

设备卡在中间。

MPCVD 生长设备国产化率到了 70%，但后道的抛光、键合、表征设备只有 30% 到 40%。你想扩产，设备交期等不等得起？核心零部件有没有第二家供应商？

判断一条链上钱往哪边走，不看总盘子有多大，看哪个环节的时钟走得最慢、而需求又最等不了。

金刚石散热的三层里，热沉片单件价值量最高但量产最难，金刚石铜复合材料放量最快但利润最薄，MPCVD 设备卡在中间、决定所有人的扩产节奏。当前最紧的不是“能不能造出来”，是“造出来的速度能不能匹配芯片的量产节奏”。

以后遇到类似的新材料赛道，认一个逻辑就行：

看需求的时钟和产能的时钟差了几倍。差的倍数越大，中间卡得最死的那一节，位置就越硬。

2026 年第四季度会是第一个检验窗口。芯片能不能量产、产线良率能不能稳住、交付能不能跟上，这几个数字会在接下来的三到六个月陆续浮出水面。金刚石从工业磨料走到芯片散热，用了三年从 2 英寸推到 8 英寸。但从 8 英寸实验室到芯片封装产线的批量交付，这一段路可能比前三年都难走。

前面比的谁先做出来，后面比的谁先交得出。

风险提示：投资有风险、入市需谨慎。本文内容及观点仅代表作者个人意见，所示案例仅代表特定时间内的历史表现,不代表任何对未来收益的承诺和保证，不构成投资建议，据此操作风险自担！