佛山市国星半导体申请蓝宝石基HEMT外延片及其制备方法专利，能够减少蓝宝石基HEMT外延片的缺陷
发布时间：2025-04-11 12:31 浏览量：50
金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“蓝宝石基HEMT外延片及其制备方法”的专利，公开号CN 119789454 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及光电技术领域，公开了一种蓝宝石基HEMT外延片及其制备方法，包括以下步骤：提供蓝宝石衬底；将蓝宝石衬底置于PECVD反应室内生长石墨烯层；将生长完石墨烯层的蓝宝石衬底置于CVD反应室内生长第一AlN层；将生长完石墨烯层和第一AlN层的蓝宝石衬底置于MOCVD反应室内依次生长第二AlN层、U型GaN层、AlN插入层、AlGaN层和GaN帽层。本发明提供的蓝宝石基HEMT外延片的制备方法能够减少蓝宝石基HEMT外延片的缺陷。
天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币，实缴资本12800万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目110次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息423条，此外企业还拥有行政许可22个。