聚灿光电申请在氮化镓外延层与蓝宝石基板之间形成空隙以便激光剥离的方法专利，显著提高 LED 芯片的光取出效率

金融界 2025 年 4 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种在氮化镓外延层与蓝宝石基板之间形成空隙以便激光剥离的方法”的专利，公开号 CN 119789624 A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明提供一种在氮化镓外延层与蓝宝石基板之间形成空隙以便激光剥离的方法，在 GaN 与蓝宝石基板界面形成可控空隙结构。所述空隙结构，可通过在图案化蓝宝石基板上调控外延工艺参数形成或在平面蓝宝石基板上沉积介电材料层，并通过湿法蚀刻、干法蚀刻或光刻工艺形成不同样态的图形结构，再进行 GaN 外延生长实现。在激光剥离过程中，空隙作为外延分解产生气体的散逸路径，减少气体冲击力，改善激光聚焦深度差异，降低外延层损伤，剥离后形成尖型或锥型粗糙结构，显著提高 LED 芯片的光取出效率和剥离工艺的良率。本发明具有工艺灵活性、外延层质量高、剥离稳定性好等优点，适用于高功率 GaN LED 芯片的制造。

天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币，实缴资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可31个。