DRAM现货市场，年底前反弹无望？

存储芯片，尤其是DRAM和NAND闪存的价格持续震荡，正在为众多企业带来运营压力。

根据TrendForce最新内存现货价格趋势报告，DRAM方面，国庆黄金周期间现货市场交易量持续下滑，年底前难有反弹迹象；NAND Flash方面，买家采购意愿不强，进一步加剧市场供应过剩，具体如下：

01
DRAM现货价格

目前正值国庆黄金周，现货市场成交量持续下滑，加上部分模组厂积极去库存，带动现货价格进一步下跌，现货市场供需格局不变，年底前难有反弹迹象，主流芯片现货均价（DDR4 1Gx8 2666MT/s）由上周的1.934美元下跌至本周的1.929美元，跌幅0.26%。

02
NAND闪存现货价格

现货市场成交清淡，受国庆假期影响，买家备货意愿未有提升，本周部分供应商明显降价销售，整体市场销售压力仍未缓解，但整体状况仍未见改善，买家采购意愿不强，更加剧了市场供应过剩的局面，512Gb TLC Wafer现货价格本周下跌0.58%，报2.595美元。

存储芯片，尤其是DRAM和NAND闪存的价格持续震荡，正在为众多企业带来运营压力。分析师指出，全球市场需求下滑，再加上供应链中断，以及金融环境的变化，这些都是影响存储芯片市场的重要因素。例如，最近美光科技（Micron）发出警告，未来几个季度营收预期将明显低于分析师的预期，这一消息迅速引发了投资者对存储芯片市场的担忧。

这种悲观情绪不仅限于美光，其它主要存储芯片制造商也同样面临着销售额下滑的困境。芯片的供需关系出现失衡，尤为引人注目的是，随着人工智能、云计算、5G等新兴技术的快速发展，存储需求的结构性变化，使得对高性能存储芯片的需求急剧上升，而传统存储芯片似乎难以跟上这种变化。

9月15日，摩根士丹利发布了一篇名为《凛冬将至》的研究报告，警告人工智能泡沫可能破灭，对SK海力士和三星的前景表示悲观。摩根士丹利的看空理由是通用DRAM需求疲软，AI专用的HBM芯片预计将出现供应过剩。摩根士丹利还在报告中下调了SK海力士的评级至减持，并双双下调了SK海力士和三星电子的目标价。这也导致SK海力士股价在报告发布之后的首个交易日内一度暴跌逾11%，至2月8日以来的最低水平。

摩根士丹利的报告引起业界广泛关注。近日，知名半导体分析师陆行之也发出了看衰存储行业的声音。

消费性电子产品第四季度需求旺季不旺，存储器模组龙头金士顿惊传降价清理库存，锁定中低阶产品甩卖变现。对于金士顿杀价出清是否会引发连锁效应，陆行之表示，库存高达 11 个月的公司非常多，且不只是中低阶产品，点名坐等威刚、创见、群联等三家企业跟进，预计确认库存损失将成为常态。

陆行之在 9 月初警示存储器行业不再持续强周期后，9 月 28 日又在社交平台发文指出，最近观察到除了生产 HBM 的存储器厂商 SK 海力士、美光、三星获利能力有明显回升之外，其他个人电脑 / 消费性电子产品存储器公司，不但近期营业收入不如预期，而且都还在亏损或处于亏损边缘。他先前曾提醒，存储器厂商塞了一堆库存给下游模组厂，让中国台湾地区的存储器模组产业今年第二季度平均库存爆表达 7、8 个月，库存为 9 到 11 个月的公司比比皆是。

一旦传统 DRAM/Flash 价格反转，确认库存损失将成为常态，意思就是非 HBM 存储器公司迄今还没看到上升周期，甚至要小心 12 个月内都不再有上升周期了。果不其然，不到 1 个月，即使靠着 HBM 及数据中心 NAND，美光的数据很好看，但存储器模组龙头金士顿（虽然看不到其库存数据），也受不了手上抱着一堆卖不出去的中低阶消费性存储器库存，而决定降价清理库存。

陆行之表示，接下来就等着看中国台湾地区存储器模组产业的威刚、创见、群联何时跟进，确认库存损失将成为常态。他同时认为，8 到 11 个月的模组存储器库存，绝对不只有中低阶产品，高阶存储器合约价格何时松动，何时模组大厂拒绝来自上游的塞货，将是未来几个月的观察重点。