深度！长鑫存储 IPO 或将推动国产 DRAM 产业链迎来黄金十年

长鑫存储作为唯一实现国产DRAM芯片大规模量产的 IDM 企业，已于2025年12月30日正式递交招股书冲击科创板IPO，预计将于2026年Q2—Q3完成上市。2025 年合肥长鑫首次实现盈利，全年营收预计达 500 亿元左右，净利润 95 亿元，全球市场份额跻身第 4 位。这一亮眼成绩不仅标志着国产存储芯片产业进入价值兑现阶段，更将带动整个产业链上下游企业迎来发展机遇。

一、长鑫存储核心竞争力解析

长鑫存储采用 IDM 模式，覆盖 DRAM 芯片研发、设计、生产及销售全流程。技术上已实现 DDR4 与 LPDDR5 大规模量产，2024 年量产 HBM2，计划 2026 年量产 HBM3、2027 年推出 HBM4。其 LPDDR5X 产品速率达 10667Mbps，进入业界第一梯队；发布的基于 HZO 的 2TnF 铁电增益单元 M3D 芯片技术，标志着技术进入国际前沿深水区。产能方面，2025 年 DRAM 市占率预计从一季度 6% 提升至年底 8%，DDR5 与 LPDDR5 市场份额分别提升至 7% 与 9%。此次 IPO 募资 295 亿元，将进一步强化其技术研发与产能扩张能力，巩固国内龙头地位。

二、上游设备材料：国产化攻坚的核心战场

长鑫存储的上游环节主要包括半导体设备、核心材料与工程服务三大类，是其产能扩张与技术迭代的基础。

设备供应商中，

北方华创

的 12 英寸 TSV 刻蚀机已在长鑫产线实现 50% 以上市占率、

中微公司

的深孔刻蚀设备适配 HBM 芯片堆叠，

拓荆科技

的 PECVD 设备批量导入产线，这些企业直接受益于长鑫的扩产计划。

材料方面，

雅克科技

作为长鑫前驱体材料核心供应商，已进入前五大供应商名单；

沪硅产业

的 12 英寸硅片产能达 75 万片 / 月，通过长鑫认证实现批量供货；

彤程新材

的 KrF 光刻胶已量产适配 DRAM 制程。

工程服务领域，

亚翔集成、太极实业

等企业为长鑫提供洁净室建设与 EPC 总包服务，保障产能落地。

值得关注的是，

兆易创新

通过 15 亿元战略投资持有长鑫存储 1.88% 股权，并签订代销协议至 2030 年，2025 年上半年已获订单 5.89 亿元，成为长鑫产业链的核心受益标的之一。

三、下游应用：封测、模组与终端协同

下游环节中，封测企业直接受益于长鑫的订单增长。

通富微电

作为长鑫第一大客户，存储封测订单占比达 45%，提供 DDR5 及 HBM3 封装，年产能 300 万颗；

深科技

子公司沛顿科技 2025 年三季度订单同比增长 50%；

华天科技

南京基地 3D IC 封装良率达 99.5%。模组制造领域，

江波龙

与长鑫签订商业备忘录，采购 DDR4 晶圆用于内存条生产；

佰维存储

与长鑫建立业务合作，降低采购成本。终端应用方面，小米、传音等手机品牌加速导入长鑫 DRAM；浪潮信息、中兴通讯测试企业级存储模组；比亚迪车载存储需求增量显著。

值得关注的是，近期苹果公司正考虑使用长鑫存储、长江存储的存储芯片，用于 iPhone、MacBook 等产品，以应付来自日韩供应商的涨价压力。这一潜在合作将进一步提升长鑫存储的产能利用率与品牌影响力。

四、产业链展望与投资机会

长鑫存储 IPO 将加速国产 DRAM 产业链成熟，AI 存储需求是关键增长引擎。当前全球存储市场周期上行叠加国产替代战略推进，AI 技术革命正驱动 DRAM 需求结构性增长。长鑫IPO将有力强化产能与技术优势，进一步缩小与国际巨头技术差距，推动国产 DRAM 在全球市场份额逐步扩大。建议关注设备材料领域的

北方华创、中微公司，

封测环节的

通富微电、深科技，

以及模组制造的

江波龙

等核心标的。

风险提示

全球 DRAM 市场价格波动、技术迭代不及预期、供应链国产化替代进度等风险仍需警惕。本文仅为信息分享，不构成投资建议。