最新消息！12月12日新闻摘要，我国科学家突破二维半导体外延技术
发布时间：2024-12-12 09:07 浏览量：7
编辑/叶子小达人
在半导体领域，一项技术的突破往往意味着行业的一次飞跃。近日，上海应用技术大学的研究团队在二维半导体材料异质外延技术上取得了突破性进展，为我国半导体产业的发展开启了新的篇章。
该团队采用了一种创新的“面内自适应异质外延”策略，成功实现了二维半导体单晶材料在c面蓝宝石衬底上的高取向外延生长。这一成果不仅优化了材料的物理性能，还大幅提高了其稳定性，为半导体器件的性能提升奠定了基础。
在此次研究中，科学家们巧妙地调控了压应力与拉应力，实现了应变的可容忍性。这一成就意味着在半导体材料的制备过程中，可以更好地控制材料性能，为后续的器件设计和应用提供了更多可能性。
这项技术的突破，不仅为学术界带来了荣誉，更为我国半导体产业的未来发展提供了强有力的技术支持。预计这一技术将在高性能电子器件、光电子学和柔性电子等领域得到广泛应用。
此次研究成果的取得，是我国科学家长期坚持自主创新、不懈探索的结果。它不仅展现了科研人员对科学真理的追求，也体现了我国在高科技领域不断追赶世界先进水平的决心和实力。
随着二维半导体外延技术的进一步成熟，我们有理由相信，未来我国在半导体领域的国际竞争力将得到显著提升，为全球科技创新贡献中国智慧和中国力量。