hemt

用钻石冷却芯片
两步生长技术如何突破高压GaN HEMT性能瓶颈
远山新材料取得蓝宝石衬底GaN HEMT外延片专利，增加二维电子气浓度和二维电子气迁移率
提高双向HEMT的阻断电压
佛山市国星半导体申请蓝宝石基HEMT外延片及其制备方法专利，能够减少蓝宝石基HEMT外延片的缺陷
双向GaN突破3000V！

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